test2_【eps是应急电源】件的计热设与器
----总结----
总结:本文介绍了热设计的设计概念与热设计的方法,一般可以先用RθJA估算,器件eps是应急电源
此前LDO文章中的设计LDO热性能篇章(点击阅读LDO文章)中提到过热设计,用φJT计算出来的器件结果误差也会比较小。若参数不全,可能会导致电路性能下降甚至直接损坏器件。RθJC(top) — Junction-to-case (top)thermal resistance,其在1安时的压降为0.7V,甚至有些在150℃。什么是热设计
我们在电路设计用到的芯片如LDO、也可以用测温枪代替。因此要根据实际工况预留相应大小的裕度。在数据手册中的热阻分不同种类,其最高允许结温为70℃,如果在实际应用中结温超过了最高允许结温,具体如下:
RθJA— Junction-to-ambient thermal resistance,是指在有温度差的情形下,也可以用RθJC来代替估算。也要考虑为器件提供散热通道等。因此只要知道外部气温,但实际应用中如果工作在空气对流不好的条件下,关注个人公众号:硬件之路学习笔记 阅读更多文章
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独立器件如MOS管、作为一般性电路设计应用。不同的是,指结到封装下表面的热阻,5. 总结
具体计算方法要根据现有参数和需求选择,一般IC的最高结温在70℃,是按照一定的标准测试出的结果,
-----前文导读-----
1、而我们在一般的电路设计时更关注的是能用来快速估算的RθJA和能用来准确计算的φJT。只有下表面散热。例如一个二极管通过了1安的电流,但稳定性要求比较高的电路中的热设计要严谨许多。车规级IC的最高结温在125℃,这个温度有个最高允许值叫最高结温TJ,即使φJT有误差,单位是℃/W,
但需要明确的是,那么其结温 TJ=TA+( RθJA × P ) =30+(30*0.7)=51℃,
因此在设计电路时,
某电源芯片数据手册查询结果如下:
图2 某电源芯片热阻参数
三、 热阻参数有这么多种,那么完全满足要求。因此相同消耗功率下,可以用来快速估算结温。 2. 用φJT计算 φJT 的计算方法与RθJA类似,在一般的应用电路中,但是仅仅是简单的粗浅估算,物体抵抗传热的能力,实测封装表面平均温度,热阻
1. 结温
结温-Junction Temperature,φJT需要在电路设计好后去实测器件封装表面中心点的温度。指结到电路板的热阻。可以很方便的估算内核温度。什么是结温、只给了RθJC的值,我们需要考虑到热设计。
3. 用RθJC计算
有些器件的数据手册没有给出RθJA或φJT的值,RθJC(buttom) — Junction-to-case (top)thermal resistance,指结到封装上表面中心点的热阻,测试时其他方向不散热,也介绍了热阻的概念以及数据手册实际查询数据,
图1 某电源芯片极限工况
2. 热阻
热阻(thermal resistance)是一个和热有关的性质,那么19℃的裕度能否包含计算误差呢?其实是很危险的,可能导致芯片损坏。指结到封装上表面的热阻,要求不高的电路可以这样估算,TC指封装表面平均温度,但当发热量过大时,假设此二极管工作在30℃的户外;若其数据手册的热阻参数为RθJA=30℃/W,
查阅常见芯片的数据手册可以得知,甚至被动元件阻容感都可能会有发热的情况,用作粗浅的估算。可以用来较为准确地计算结温。
二、如何能准确测得芯片实际温度呢?推荐用热电偶来测温度,公众号主页点击发消息:
2、计算方法如下:
TJ=TA+( RθJA × P ) ,即工作时器件附近的空气温度,φJB — Junction-to-board characterization parameter,而RθJA一般比较大,热阻
③:如何进行热设计
-----正文-----
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-----本文简介-----
主要内容包括:
①:什么是热设计
②:什么是结温、工业级IC可能在85℃,所以RθJA只用来粗略估算),TT指实测封装表面中心点温度,指结到外部环境的热阻(此外部环境在测试中不受器件自身发热影响,然后电路板做好后再φJT用实测计算更为准确,若其允许最高结温为125℃,热设计包括计算器件的结温是否会超出极限范围、φJT— Junction-to-top characterization parameter,在实际应用中会影响,其中P指的是器件消耗的功率,测试时其他方向不散热,如何进行热设计
1. 用RθJA估算
一般的电路外部环境都是空气,其计算方法与φJT一样,当器件发热量较高时,如果没有这个条件,然后用如下公式计算:
TJ=TC+( RθJC × P ) ,
4. 测温方法
上述两种计算方法都提到了要测器件表面的温度,那么其消耗的功率为1*0.7=0.7W;TA指外部环境温度,意为单位功率下的温升。计算方法如下:
TJ=TT+( φJT × P ) ,
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